Mengirim pesan
HK HUAYONGLI ELECTRONIC INDUSTRIAL CO.,LIMTED. 86-0755-83255679 sales@chiphyl.com
IGBT MOSFET N-CH Diode Triode TO220-3 TO-220 IPP023N08N5

IGBT MOSFET N-CH Diode Triode TO220-3 TO-220 IPP023N08N5

  • Cahaya Tinggi

    MOSFET Diode Triode

    ,

    Diode Triode IPP023N08N5

    ,

    IGBT ic driver igbt

  • Tipe FET
    Saluran-N
  • Keterangan
    IPP023N08N5
  • Teknologi
    MOSFET
  • Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
    80V
  • Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    3.8V @ 208µA
  • Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • Disipasi Daya (Maks)
    300W (Tc)
  • Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
    2,3 mOhm @ 100A, 10V
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paket / Kasus
    KE-220-3
  • Waktu memimpin
    Dalam 1 Hari
  • Pembayaran
    Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
  • Pengiriman Oleh
    DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Lainnya
  • Sedang mengemas
    Pengepakan standar
  • Jaminan
    1 tahun
  • Kondisi
    100% baru
  • Keterangan lebih lanjut
    Silahkan Hubungi
  • MOQ
    1 buah
  • Pelabuhan
    SHENZHEN,HONGKONG
  • Tempat asal
    Jerman
  • Nama merek
    Infineon
  • Sertifikasi
    RoHS
  • Nomor model
    IPP023N08N5
  • Kuantitas min Order
    1 buah
  • Harga
    $0.10/pieces >=10 pieces
  • Kemasan rincian
    Gulungan atau Tabung atau Baki
  • Waktu pengiriman
    1-3
  • Syarat-syarat pembayaran
    L/C, D/A, D/P, T/T
  • Menyediakan kemampuan
    100000 Potongan/potongan per Bulan

IGBT MOSFET N-CH Diode Triode TO220-3 TO-220 IPP023N08N5

IGBT MOSFET N-CH Diode Triode TO220-3 TO-220 IPP023N08N5

 

Atribut Produk
JENIS
KETERANGAN
Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Aktif
Tipe FET
Saluran-N
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
80 V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 208µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vg (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
12100 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
KE-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP023